강대원(Dawon Kahng), MOSFET과 Floating Gate
저는 여름 휴가 동안 반도체 발전에 주요한 기여를 한, 한국인 몇 분을 소개합니다. 이번 글은 둘째 순서입니다. 강대원 Dawon Kahng, MOSFET과 Floating Gate 2024년 8월 7일(수) 강대원 박사, 그는 누구인가? (故) 강대원 (姜大元, Dawon David Kahng 1931년-1992년 한국이 낳은 세계적인 반도체 물리학자인 강대원 박사는 1931년 서울에서 태어났습니다. 그는 1955년에 서울대 물리학과를 졸업하고, 미국 오하이오 주립대학교 전자공학과에서 1956년에 석사 및 1959년에 박사학위를 취득하였습니다. 그 후, 강대원 박사는 당시 세계 최고 연구소인 Bell Lab에 입사하여 1960년에 MOSFET을 개발하였습니다. MOSFET은 세계 최초의 반도체인 BJT(Bipolar Junction Transistor)와는 달리 반도체를 고집적 및 양산이 가능한 구조로 오늘날 Intel의 CPU나 SK하이닉스, 삼성전자의 DRAM 등의 기초 소자로 활용 되고 있습니다. 또한 MOSFET은 과거 진공관과 Transistor로 대표되는 초기 전자회로 시대를 뛰어넘어 IC시대(집적회로)로 발전하는데 가장 기초적이고 획기적인 발명품으로 인정을 받고 있으며, 현재 상용화 되고 있는 모든 digital 전자회로의 토대입니다. 2009년 그 공로를 인정받은 강대원 박사는 토마스 에디슨을 비롯해 라이트 형제, 노벨 등이 이름을 올린 미국 상무부 산하 특허청의 '발명가 명예의 전당(National Inventors Hall of Fame)'에 나란히 이름을 올리게 되었습니다. 한국인으로는 최초로 국제전기전자기술자협회(IEEE)와 Bell Telephone Laboratories의 Fellow였던 강대원 박사는 NAND Flash의 Floating Gate 분야에서 중요한 기여를 하였으며, 35개 이상의 논문과, 책을 썼으며 22개의 미...